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  • 中國移動發(fā)布安全MCU芯片CM32M435R
    發(fā)布日期:2024-07-03     466
    7月1日消息,近日,中國移動旗下的中移芯昇發(fā)布了一款大容量低功耗+PUF+物理防側(cè)信道攻擊的安全MCU芯片“CM32M435R”,采用40納米功耗工藝,基于業(yè)界領(lǐng)先的高性能32位RISC-V內(nèi)核,綜合性能達到國內(nèi)領(lǐng)先水平。它有三個主要特點:一是高安全。雙核設(shè)計,安全子系統(tǒng)由安全內(nèi)核獨立控制,具備更高安全等級。同時支持物理防克隆P
  • HBM旺盛需求帶動半導體硅片需求倍增
    發(fā)布日期:2024-07-03     325
    7月1日消息,雖然半導體市場需求已經(jīng)有所恢復,不過半導體硅片產(chǎn)業(yè)今年受到客戶因持續(xù)執(zhí)行長合約采購,造成庫存消化速度較慢,而終端需求包括智能手機、電腦等的回升速度較慢,所以上半年仍有庫存的影響。但隨著AI需求的增長,包括AI需要使用的HBM(高帶寬內(nèi)存)以及先進封裝結(jié)構(gòu)改變,都需要增加使用半導體硅片,隨著庫存去
  • 英偉達在法國美國歐盟面臨反壟斷起訴,AMD/英特爾加油了
    發(fā)布日期:2024-07-03     356
    7月2日消息,據(jù)國外媒體報道稱,由于在顯卡、GPU市場一家獨大的存在,英偉達已經(jīng)被法國盯上。報道中提到,法國監(jiān)管機構(gòu)將對英偉達提起反壟斷訴訟,這將是全球首家對該公司采取反壟斷行動的執(zhí)法機構(gòu)。早在去年9月底,就有媒體報道稱,法國競爭監(jiān)管機構(gòu)突擊搜查了英偉達在當?shù)氐霓k公室,理由是這家芯片巨頭涉嫌從事反競爭行為
  • 韓國正在強攻化合物功率半導體 全球市占不足2%
    發(fā)布日期:2024-07-03     285
    隨著復合功率半導體市場的全球競爭日趨白熱化,復合功率半導體市場已成為新的糧食來源,韓國政府和企業(yè)也紛紛加入,以主導市場。與國際企業(yè)相比,韓國企業(yè)是后來者,其目標是通過與政府共同構(gòu)建生態(tài)系統(tǒng)來集中精力進行技術(shù)開發(fā)。業(yè)界預測,韓國擁有現(xiàn)代/起亞汽車、三星電子、LG電子等全球汽車和家電企業(yè),因此在功率半導體市
  • 消息稱臺積電海外晶圓廠僅貢獻10%產(chǎn)能 無需擔憂中國臺灣產(chǎn)業(yè)外遷
    發(fā)布日期:2024-07-03     256
    臺積電正在美國亞利桑那州鳳凰城取得重大進展,即將在其Fab 21晶圓廠第一階段開始大規(guī)模生產(chǎn)4nm和5nm芯片,并將在2030年前建設(shè)更多實施,這將顯著提高其生產(chǎn)能力和全球影響力。然而,據(jù)報道,臺積電在美國、日本和德國建設(shè)晶圓廠引發(fā)了中國臺灣對產(chǎn)業(yè)外遷的擔憂。隨著臺積電在德國、日本和美國等海外地區(qū)擴張取得成功,中國
  • 谷歌Tensor G5即將進入流片階段 將由臺積電3nm代工
    發(fā)布日期:2024-07-03     358
    7月1日,據(jù)外媒報道,谷歌即將在明年發(fā)布第十代的Pixel系列智能手機,屆時其搭載的Tensor G5處理器將會采用臺積電的3nm制程工藝。最新的消息顯示,Tensor G5處理器研發(fā)順利,即將進入Tape-ou(流片)階段。據(jù)了解,Tensor G5是谷歌首款完全自研手機處理器,而前四代Tensor處理器都是三星Exynos修改,并三星代工生產(chǎn)。而最新
  • 美國芯片業(yè)面臨重大人才缺口 準備大量砸錢補救
    發(fā)布日期:2024-07-03     314
    7月2日消息,據(jù)媒體報道,美國芯片產(chǎn)業(yè)正面臨嚴重的人才短缺問題,為此政府迅速啟動一項計劃,旨在培養(yǎng)國內(nèi)芯片勞動力,以避免勞動力短缺對半導體生產(chǎn)造成威脅。這一計劃被稱為勞動力伙伴聯(lián)盟,將動用新成立的國家半導體技術(shù)中心(NSTC)50億美元聯(lián)邦資金的一部分。NSTC計劃資助多達10個勞動力發(fā)展項目,每個項目預算在50萬
  • 臺達電子與TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室,瞄準GaN
    發(fā)布日期:2024-06-27     346
    6月21日,臺達電子宣布與全球半導體領(lǐng)導廠商德州儀器(TI)成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室。臺達表示,此舉不僅深化雙方長期合作關(guān)系,亦可憑借TI在數(shù)字控制及氮化鎵(GaN)等半導體相關(guān)領(lǐng)域多年的豐富經(jīng)驗及創(chuàng)新技術(shù),強化新一代電動車電源系統(tǒng)的功率密度和效能等優(yōu)勢,增強臺達在電動車領(lǐng)域的核心競爭力。臺達交通事業(yè)范疇執(zhí)行副總裁
  • 中央硝子新技術(shù)可使SiC基板成本降低10%
    發(fā)布日期:2024-06-27     496
    據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道,日前,日本中央硝子(Central Glass)開發(fā)出了用于功率半導體尖端材料“碳化硅(SiC)”基板的新制造技術(shù)。中央硝子開發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液來制造碳化硅基板的技術(shù)。與使用高溫下升華的碳化硅使單晶生長的傳統(tǒng)技術(shù)相比,更容易增大基板尺寸以及提高品質(zhì),這可使基板的制造成本降低1成以上,不合格率
  • 復旦大學半導體研發(fā)取得重要突破
    發(fā)布日期:2024-06-27     373
    近日,在2024年超大規(guī)模集成電路國際研討會上,復旦大學芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院的劉明院士團隊在會上展示了鉿基鐵電器件可靠性方面的最新研究進展?;贖fxZr1-xO2材料的鐵電存儲器(FeRAM)由于其高速、良好的可微縮性和CMOS工藝兼容性,受到了廣泛關(guān)注。然而,器件的可靠性是影響其大規(guī)模應用的關(guān)鍵問題之一。在程序代碼

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