光纖通道存儲局域網(wǎng)的數(shù)據(jù)傳輸速率為1Gbps或2Gbps.在今天,這樣的速度對SAN是足夠的,但是,下一代的SAN需要更快的光纖通道傳輸速度,改善互連帶寬以減小和消除瓶頸.
為了滿足這一需要,Broadcom的三種新的存儲器件大大地改善了SAN的傳輸性能,從1Gbps和2Gbps過度到5.25Gbps.
BCM8426目標(biāo)用在中檔到高檔存儲陣列,是12端口光纖通道仲裁回路集線器,能配置成連接智能集束盤(iBOD)中的光纖通道硬盤驅(qū)動.
核心處理器ARM? Cortex?-M0內(nèi)核規(guī)格32-位速度50MHz連接能力CANbus,I2C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART外設(shè)欠壓檢測/復(fù)位,DMA,POR,PWM,WDTI/O 數(shù)56程序存儲容量68KB(68K x 8)程序存儲器類型閃存EEPROM 容量-RAM 大小8K x 8電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)2.5V ~ 5.5V數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器A/D 8x12b振蕩器類型內(nèi)部工作溫度-40°C ~ 105°C(TA)安裝類型表面貼裝型封裝/外殼64-LQFP供應(yīng)商器件封裝64-LQFP(7x7)
芯片所需的供電電壓為3V到5V,此電壓能從網(wǎng)絡(luò)電流經(jīng)芯片自行發(fā)生,并能提供給外部邏輯或其它器件的電路。
AS2523或AS2524B提供自動電路損耗補(bǔ)償。實(shí)數(shù)(REAL)和復(fù)數(shù)(COMPLEX)阻抗可通過外部元器件進(jìn)行選擇和調(diào)整。
AS2523和AS2524擁有獨(dú)特的電磁兼容(EMC)性能,工作電流范圍在15mA到100mA 之間(性能要求更低的情況下,可減至5mA),在聽筒模式下采用的標(biāo)準(zhǔn)工作電流為4mA,在免提模式下為11mA。
發(fā)布日期: 2024-07-10
發(fā)布日期: 2024-10-25
發(fā)布日期: 2024-06-17
發(fā)布日期: 2023-07-04
發(fā)布日期: 2024-05-23
發(fā)布日期: 2024-05-11
發(fā)布日期: 2025-02-06
發(fā)布日期: 2023-12-27
發(fā)布日期: 2025-03-31
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