4 月 12 日消息，據(jù)韓媒 Hankyung 報(bào)道，三星最快于本月晚些時(shí)候?qū)崿F(xiàn)第 9 代 V-NAND 閃存的量產(chǎn)。

三星高管 Jung-Bae Lee 去年 10 月表示，其下一代 NAND 閃存將于“今年初”量產(chǎn)，擁有業(yè)界領(lǐng)先的堆疊層數(shù)。

三星于 2022 年 11 月量產(chǎn)了 236 層第 8 代 V-NAND，這意味著兩代之間的間隔為一年半左右。

▲ 三星第 8 代 V-NAND 閃存

Hankyung 稱第 9 代 V-NAND 閃存的堆疊層數(shù)將是 290 層，不過IT之家早前報(bào)道中提到，三星在學(xué)術(shù)會(huì)議上展示了 280 層堆疊的 QLC 閃存，該閃存 IO 接口速率達(dá)到 3.2GB/s。

三星在第 9 代 V-NAND 上將沿用雙閃存堆棧的結(jié)構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)更簡(jiǎn)單的工序和更低的制造成本。而在預(yù)計(jì)明年推出的第 10 代 V-NAND 閃存上，三星將換用三堆棧結(jié)構(gòu)。

新的結(jié)構(gòu)將進(jìn)一步提升 3D 閃存的最大可能堆疊層數(shù)，不過也會(huì)在堆棧對(duì)齊方面引入更多的復(fù)雜性，SK 海力士明年量產(chǎn)的 321 層 NAND 閃存就將使用這一結(jié)構(gòu) 。

半導(dǎo)體行業(yè)觀察機(jī)構(gòu) TechInsights 表示三星的第 10 代 V-NAND 閃存有望達(dá)到 430 層，進(jìn)一步提升堆疊方面的優(yōu)勢(shì)。