近日,浙大杭州科創(chuàng)中心官微發(fā)文稱,浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心(簡稱科創(chuàng)中心)先進(jìn)半導(dǎo)體研究院-乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室(簡稱聯(lián)合實驗室)首次生長出厚度達(dá)100 mm的超厚碳化硅單晶。
文章指出,為提升碳化硅晶體厚度,聯(lián)合實驗室開展了提拉式物理氣相傳輸(Pulling Physical Vapor Transport, PPVT)法生長超厚碳化硅單晶的研究(圖1a)。
source:先進(jìn)半導(dǎo)體研究院
采用提拉式物理氣相傳輸法,聯(lián)合實驗室成功生長出直徑為6英寸(即150mm)的碳化硅單晶,其厚度突破了100mm。測試加工而得的襯底片的結(jié)果顯示,該超厚碳化硅單晶具有單一的4H晶型(圖2a)、結(jié)晶質(zhì)量良好(圖2b),電阻率平均值不超過~ 30 mΩ·cm。
source:先進(jìn)半導(dǎo)體研究院
發(fā)布日期: 2025-01-07
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