隨著人工智能（AI）技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)芯片的需求急劇增加，推動(dòng)了先進(jìn)封裝和高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）技術(shù)的不斷改進(jìn)，從而進(jìn)一步增加了晶圓的消耗量，預(yù)計(jì)將使硅片行業(yè)受益。

據(jù)Trendforce報(bào)道，環(huán)球晶圓（GlobalWafers）董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官徐秀蘭表示，AI芯片所需要的HBM存儲(chǔ)芯片，比如HBM3或者即將到來的HBM4，需要在芯片上做堆疊，層數(shù)從12層增加到16層，而且下面還需要一層基礎(chǔ)芯片，預(yù)計(jì)會(huì)大大增加晶圓的消耗。

人工智能熱潮導(dǎo)致全球HBM嚴(yán)重短缺，存儲(chǔ)器制造商今年和明年的產(chǎn)能已經(jīng)售罄，需要不斷加大資本投入，擴(kuò)大HBM生產(chǎn)。有業(yè)內(nèi)人士透露，與DDR5等相同容量和工藝的存儲(chǔ)芯片相比，HBM芯片的晶圓尺寸增加了35%到45%。與此同時(shí)，HBM芯片所需要的制造工藝更為復(fù)雜，良品率比起DDR5低了20%至30%，這意味著相同的晶圓面積上生產(chǎn)出的合格芯片會(huì)更少。以上兩個(gè)因素疊加，導(dǎo)致需要更多硅片來滿足HBM的生產(chǎn)需要。

此外，先進(jìn)封裝也比以往需要更多的拋光晶圓，因?yàn)榉庋b已經(jīng)變得立體，結(jié)構(gòu)和工藝也發(fā)生了變化，一些封裝可能需要比以前多一倍的晶圓。隨著明年先進(jìn)封裝產(chǎn)能的釋放，所需的晶圓數(shù)量會(huì)有更為明顯的增長(zhǎng)。目前可以看到像臺(tái)積電（TSMC）的CoWoS封裝變得更加流行，處于供不應(yīng)求的狀態(tài)已經(jīng)很長(zhǎng)一段時(shí)間了。

過去隨著先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用，芯片尺寸縮小，降低了晶圓的消耗?，F(xiàn)在因?yàn)槿斯ぶ悄芎?D封裝的推動(dòng)、導(dǎo)致了晶圓使用量的增加，從而促進(jìn)了硅片行業(yè)的發(fā)展。值得注意的是，在硅晶圓發(fā)展的同時(shí)，HBM和先進(jìn)封裝技術(shù)對(duì)質(zhì)量、平整度和純度提出了更高的要求。這也將促使硅片制造商做出相應(yīng)的調(diào)整，以應(yīng)對(duì)業(yè)界的發(fā)展趨勢(shì)。