使用高端N溝道MOSFET (NFET)的熱插拔控制器，浪涌抑制器、電子保險絲和理想二極管控制器，在啟動和電壓/電流調節(jié)期間可能會發(fā)生振蕩。數(shù)據(jù)手冊通常會簡要提到這個問題，并建議添加一個小柵極電阻來解決。然而，如果不清楚振蕩的根本原因，設計人員就可能難以在布局中妥善放置柵極電阻，使電路容易受到振蕩的影響。本文將討論寄生振蕩的原理，以幫助設計人員避免不必要的電路板修改。

最初，添加柵極電阻可能沒什么必要，因為看起來NFET柵極的電阻為無窮大。用戶可能會忽略這個步驟，并且不會出現(xiàn)問題，進而會質疑柵極電阻是否有必要。但10 Ω柵極電阻可以有效抑制柵極節(jié)點上振鈴。柵極節(jié)點含有諧振電路的元件，包括柵極走線本身。較長PCB走線會將寄生電感和分布電容引入附近的接地平面，從而形成通向地的高頻路徑。針對高安全工作區(qū)(SOA)優(yōu)化的功率FET具有數(shù)納法拉的柵極電容，為增加電流處理能力而并聯(lián)更多FET時，此問題會加劇。用于鉗位FET的 VGS的齊納二極管也會帶來寄生電容，不過功率FET的 CISS影響較大。

圖1為帶寄生效應的通用 PowerPath?控制器。

圖1. 通用PowerPath控制器。

旋轉電路后（見圖2），其與Colpitts振蕩器的相似性就非常明顯了（見圖3）。這是一個具有附加增益的諧振電路，能夠產(chǎn)生持續(xù)振蕩，使用N溝道FET的PowerPath控制器可能會采用這種配置。

圖2. 旋轉后的PowerPath控制器。

圖3. Colpitts振蕩器。

Colpitts振蕩器使用緩沖器通過容性分壓器提供正反饋。在PowerPath控制器中，這是由FET實現(xiàn)的。它處于共漏極/源極跟隨器配置中，因此可充當交流緩沖器，在更高漏極電流下性能更好。容性分壓器頂部的信號被注入分壓器的中間，導致分壓器頂部的信號上升，然后重復這一過程。

振蕩常發(fā)生在以下FET未完全導通的情況中：

1. 初始啟動期間，當柵極電壓上升且輸出電容充電時。

2. 正在調節(jié)電流時（如果控制器使用有源限流功能）。

3. 正在調節(jié)電壓時（如在浪涌抑制器中所見）。

為了驗證開關FET在Colpitts振蕩器拓撲中的作用，我們構建了一個沒有柵極驅動器IC的基本電路（見圖5）。FET的 CGS（圖4中未顯示為分立元件）與C2構成分壓器。

圖4. NFET作為Colpitts振蕩器的測試電路。

圖5. 電路原型。

圖6中觀察到了振蕩，這表明高端NFET開關處于Colpitts拓撲中。

圖6. 示波器圖顯示施加直流電時出現(xiàn)振蕩。

現(xiàn)在我們轉到熱插拔控制器，看看是否進行調整以引起振蕩。演示板用于啟動容性負載測試。在啟動期間，柵極電壓按照設定的dV/dt上升，輸出也隨之上升。根據(jù)公式 IINRUSH = CLOAD × dV/dt，進入輸出電容的沖擊電流由dV/dt控制。為了提高FET的跨導 (gm)，沖擊電流設置為相對較高的值3 A。

測試設置（見圖7）：

注意圖8中的波形，一旦柵極電壓上升到FET的閾值電壓，GATE和OUT波形就出現(xiàn)振鈴，這是由GATE波形突然階躍導致沖擊電流過沖而引起的。隨后振鈴逐漸消退。

圖8. 示波器圖顯示了啟動期間逐漸衰減的振蕩

為使瞬態(tài)振鈴進入連續(xù)振蕩狀態(tài)，必須增加FET的增益。將 VIN 從12 V提升至18 V，負載電流和 gm 都會增加。這會將正反饋放大到足以維持振蕩的水平，如圖9中的示波器圖所示。

圖9. 示波器圖顯示提高 VIN產(chǎn)生連續(xù)振蕩。

現(xiàn)在問題已經(jīng)重現(xiàn)，我們可以實施眾所周知的解決方案：將一個10 Ω柵極電阻與電感串聯(lián)（見圖10）。增加柵極電阻后有效抑制了振蕩，使系統(tǒng)能夠平穩(wěn)啟動（見圖11）。

圖10. 添加柵極電阻的演示板測試電路。

圖11. 示波器圖顯示，添加柵極電阻后，啟動時無振蕩。

回到基本的NFET Colpitts振蕩器，引入可切換柵極電阻后，可觀察到 RGATE的阻尼效應（見圖12）。當從0 Ω逐步增至10 Ω時，振蕩會衰減，如圖13所示。

圖12. 基本NFET Colpitts振蕩器，添加了可切換 RGATE。

圖13. 示波器圖顯示，隨著 RGATE 逐步增加，振蕩逐漸消失。