晶振外置的RTC應用電路一般由RTC芯片、外置32k晶振、負載電容組成,最常見的電路原理圖大致如下,其中U1為RTC芯片,Y1為32k晶振,C1、C2為晶振負載電容。
生產中,引起RTC停振的原因大致如下:
1、當焊接晶振采用烙鐵手工焊接方式時,可能因為烙鐵溫度過高,碰觸到晶振本體而導致晶振內部石英晶片融化。
RTC停振理論分析
RTC內部振蕩器電路如下圖所示:
除了石英晶振外,mp、mn、Rf、C1、C2器件全部集成于芯片之中,考慮到OSCIN和OSCOUT引腳到地的等效電阻R1、R2,上圖的等效電路結構如下圖:
其s域的傳輸函數為:
取T(s)函數的實部為nRes(稱為振蕩負阻),并將C0、 L0、R0、Rf、gm1、C1、C2合適的參數代入,并假設R1=R2,以R1、R2為變量,畫出R1、R2和nRes的關系圖如下:
為了保證晶振可靠的振蕩,一般要求振蕩負阻大于5倍的晶振內串聯電阻R0。興威帆的RTC充分考慮了設計冗余,在外置諧振電容值合適的情況下,能穩(wěn)定可靠地振蕩工作。
發(fā)布日期: 2025-01-24
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