據(jù)外媒報道,三星計劃在今年6月召開的2024年晶圓代工論壇上,正式公布其1nm制程工藝計劃,并計劃將1nm的量產(chǎn)時間從原本的2027年提前到2026年。
據(jù)了解,三星電子已于2022年6月在全球首次成功量產(chǎn)3nm晶圓代工,并計劃在2024年開始量產(chǎn)其第二代3nm工藝。根據(jù)三星之前的路線圖,2nm SF2 工藝將于2025年亮相,與 3nm SF3 工藝相比,同等情況下能效可提高25%,性能可提高12%,同時芯片面積減少5%。
報道中稱,三星加速量產(chǎn)1nm工藝的信心,或許來自于“Gate-All-Around(GAA)”電流控制技術(shù),該技術(shù)能顯著降低晶體管的漏電流,提升芯片功率效率。
發(fā)布日期: 2024-03-26
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