5月29日，科友半導(dǎo)體碳化硅晶體生長車間傳來捷報，自主研發(fā)的電阻長晶爐再次實現(xiàn)突破，成功制備出多顆中心厚度超過80mm，薄點厚度超過60mm的導(dǎo)電型6英寸碳化硅單晶。

科友半導(dǎo)體表示，這也是國內(nèi)首次報道和展示厚度超過60mm的碳化硅原生錠毛坯，厚度是目前業(yè)內(nèi)主流晶體厚度的3倍，單片成本較原來降低70%，有效提高企業(yè)盈利能力。此批次晶體呈現(xiàn)出微凸的形貌，表面光滑無明顯缺陷。

據(jù)了解，物理氣相傳輸（PVT）法生長碳化硅單晶具有質(zhì)量可控、工藝成熟的優(yōu)勢，但晶體厚度一直是主要制約，而溶液法在提高晶體厚度方面表現(xiàn)突出，但是目前仍尚未能實現(xiàn)真正的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。

科友半導(dǎo)體基于自研電阻爐，通過借鑒溶液法的部分理念，破除了溶液法才能生長高厚度晶體的限制，充分利用了PVT法單晶穩(wěn)定生長的優(yōu)勢，將兩種制備方法的優(yōu)勢成功結(jié)合到一起。

資料顯示，科友半導(dǎo)體成立于2018年5月，是一家專注于第三代半導(dǎo)體裝備研發(fā)、襯底制作、器件設(shè)計、科研成果轉(zhuǎn)化的國家級高新技術(shù)企業(yè)，研發(fā)覆蓋半導(dǎo)體裝備研制、長晶工藝、襯底加工等多個領(lǐng)域，形成自主知識產(chǎn)權(quán)，已累計授權(quán)專利80余項，實現(xiàn)先進(jìn)技術(shù)自主可控。

科友半導(dǎo)體在哈爾濱新區(qū)打造產(chǎn)、學(xué)、研一體化的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)，實現(xiàn)碳化硅材料端從原材料提純-裝備制造-晶體生長-襯底加工-外延晶圓的材料端全產(chǎn)業(yè)鏈閉合，致力成為第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料和高端裝備主要供應(yīng)商。