今天凌晨，三星在美國(guó)加利福尼亞州圣何塞市三星設(shè)備解決方案美國(guó)總部舉行的年度活動(dòng)“三星代工論壇（SFF）”上，公布了最新的代工創(chuàng)新成果，并概述了人工智能時(shí)代的愿景。在“Empowering the AI Revolution”主題下，三星公布了強(qiáng)化制程技術(shù)路線圖，其中包括了SF2Z和SF4U工藝，以及三星AI解決方案。

三星將在SF2Z工藝上集成了經(jīng)過優(yōu)化的“BSPDN（背面供電網(wǎng)絡(luò)）”技術(shù)，將電源軌置于晶圓的背面，以消除電源線和信號(hào)線之間的瓶頸。與2nm制程節(jié)點(diǎn)的初代SF2工藝相比，SF2Z不僅提高了功率、性能和面積（PPA）規(guī)格，還顯著降低了電路壓降，從而增強(qiáng)了芯片性能。SF4U工藝是對(duì)原有4nm制程的優(yōu)化，通過結(jié)合光學(xué)收縮改進(jìn)了功率、性能和面積的表現(xiàn)。

按照三星的安排，SF2Z工藝將于2027年量產(chǎn)，SF4U工藝則計(jì)劃在2025年量產(chǎn)。三星還表示，SF1.4工藝準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利，有望在2027年量產(chǎn)，通過材料和結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，積極塑造1.4nm以下的未來制程技術(shù)。三星稱，GAA工藝進(jìn)入量產(chǎn)的第三個(gè)年頭，在產(chǎn)能和性能上都更加成熟，積累的經(jīng)驗(yàn)將應(yīng)用于今年下半年量產(chǎn)的第二代3nm工藝（SF3）和即將到來的2nm工藝。