隨著電子器件在汽車和其他產(chǎn)品上的應(yīng)用越來越廣泛（智能化），芯片的集成度也越來越高、體形也越來越小、研發(fā)的難度也越來越高，這些器件通常具有線間距短、線細(xì)、集成度高、運(yùn)算速度快、功耗低和高輸入阻抗的特點(diǎn)，這也導(dǎo)致了這類器件對靜電的要求越來越高。其中涉及到的標(biāo)準(zhǔn)為：ESD SP5.5.1-2004、ISO7637-2、GB/T.21437.2、ECER10.05 6.9、IEC62615:2010。

其中在很多器件的ESD性能，都會使用TLP 測試，除了使用標(biāo)準(zhǔn)的TLP脈沖發(fā)生器之外，還需要使用示波器對其脈沖進(jìn)行測量。

TLP測試

TLP（Transmission Line Pulse）測試又稱為傳輸線脈沖測試，是對靜電防護(hù)半導(dǎo)體器件進(jìn)行描述的一種常用方法。1985年由Maloney等人就提出的ESD模擬方法，與傳統(tǒng)的HBM、MM、CDM、IEC模型不同，傳輸線脈沖發(fā)生器發(fā)出的是靜電模擬方波，而傳統(tǒng)模式發(fā)出的則是RC-LC模式的脈沖波形。

對于其他（CDM、HBM、MM等）的靜電模型，在相同損傷能量下，TLP與各種靜電模型均有近似的等效關(guān)系，同時(shí)考慮到上升沿的觸發(fā)效應(yīng)，因此，一般會使用相近的脈寬和上升沿進(jìn)行等效，通過進(jìn)一步的影響評估，即可確認(rèn)合適的不同模型靜電等效方波，通過方波測出上述曲線，即可用于該靜電模型下的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)仿真，利用測試波形結(jié)果中的開啟-關(guān)斷特性，即可知道器件在相應(yīng)模型下的響應(yīng)情況。而對于IEC、火花放電等兩/三階段模型則需要通過分階段（如超快階段和普通階段）進(jìn)行測試分析。

TLP的特點(diǎn)

• 不模擬真實(shí)靜電放電

• 記錄被測的故障等級和特性

• Characterization/表征測試

換言之，TLP設(shè)備可模擬各種形式的ESD脈沖，在靜電損傷和上升沿觸發(fā)兩方面都可以提供近似的模擬，因此，也可以認(rèn)為兩者是一致的。而在這種近似認(rèn)同下，則TLP可以提供ESD過程中的IV、IT、VT三種不同的關(guān)鍵曲線，而這種曲線是其它模型所不能提供的。

需要注意的是：TLP脈沖式方波，與真實(shí)情況有一定的出入，雖然可以近似模擬，但總是會有一定的差別，完全采信TLP結(jié)果，可能會導(dǎo)致考核值與其它廠家的設(shè)備有一定的差異，更有甚者，由于芯片的電荷存儲效應(yīng)，不同廠家的ESD測試設(shè)備之間測試結(jié)果也有一定的差異；此外，TLP系統(tǒng)是超快脈沖，輕微的寄生即可導(dǎo)致波形畸變，多通道的TLP系統(tǒng)在實(shí)現(xiàn)上難度較大，因此，替換常規(guī)ESD測試設(shè)備的可行性較弱。

測試

利用傳輸線產(chǎn)生的矩形短脈沖來測量ESD保護(hù)元件的電流-電壓特性曲線的方法，通過將懸空電纜充電至預(yù)定電壓并將其放電至被測器件（DUT）來生成方波。通過改變電纜長度和濾波器特性，很容易改變脈沖寬度和上升時(shí)間。

充電電壓源（VHV）提供額定能量，給傳輸線（TL）充電，產(chǎn)生一個(gè)窄方波（75ns~200ns）當(dāng)開關(guān)S閉合時(shí)，被測器件（DUT）接入傳輸線路，產(chǎn)生的窄方波被作用到DUT的保護(hù)結(jié)構(gòu)上。通過示波器獲取的測量值，再根據(jù)運(yùn)算得到DUT兩端的電壓和電流值。

其中，我們會使用TLP發(fā)生器產(chǎn)生相關(guān)的脈沖信號，使用示波器對DUT的電壓電流進(jìn)行監(jiān)控測試，測試配置參考下圖。由于脈沖信號的脈寬非常窄，同時(shí)信號上升時(shí)間為ns級，所以我們需要配置合適的示波器和相應(yīng)的探頭進(jìn)行測試，根據(jù)IEC61000-4-2給出的說明，這里我們需要配置1GHz測量帶寬的示波器和探頭。

而對于VF-TLP測試對信號的要求更高，此時(shí)我們需要配置衰減器，高帶寬的短電纜，和高帶寬的示波器去完成相應(yīng)的測試，測試儀器的帶寬甚至要求達(dá)到20GHz左右。

以下是各個(gè)ESD模型的經(jīng)驗(yàn)對比值，當(dāng)然這個(gè)經(jīng)驗(yàn)值有時(shí)是值得商榷的。

TLP的It2*1500Ω=HBM值

MM*(9~10)=HBM

IEC+(1.3k~2k)=HBM

具體的測試步驟可以參考以下說明：

1.使用TLP pulser發(fā)出脈沖，使用示波器和對應(yīng)的探頭、測試線纜、衰減器等測試DUT端對應(yīng)的電壓電流，描繪響應(yīng)的曲線。TLP Pulser打出指定電壓V1的脈沖，示波器記錄下電流I1。

2.將測試線纜切換到SMU上測試DUT對應(yīng)的漏電流。利用IFIM（Force I Measure I）功能，F(xiàn)orce電流I1，測量得到Leakage1。

3.重復(fù)上述步驟，描繪對應(yīng)的曲線，直至得到漏電流偏折點(diǎn)。