國家重點研發(fā)計劃第三代半導體射頻微系統芯片研究項目啟動

發(fā)布日期：2024-01-25

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1月15日，中國科學技術大學微電子學院孫海定教授牽頭的國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點專項“基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁異質集成射頻微系統芯片研究”項目啟動會暨實施方案論證會在云塔科技（安努奇）舉行。

該項目是由中國科學技術大學牽頭，香港科技大學作為香港方合作單位以及安徽安努奇科技有限公司作為參研單位，共同開展聯合攻關。

消息稱，項目面向國家在高頻、大帶寬和高功率密度戰(zhàn)略性高端通信芯片和射頻模組的迫切需求，開展基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁（GaN/AlScN）異質集成射頻微系統芯片研究，充分結合中科大、港科大、安努奇科技三方在射頻前端領域的技術優(yōu)勢與產業(yè)化經驗，針對關鍵技術難題組建課題攻關小組，提高射頻微系統芯片的技術創(chuàng)新能力，實現攻堅克難與關鍵核心技術的突破，促進我國射頻前端整體水平進入國際先進行列。

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