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西電攻克1200V以上增強型氮化鎵電力電子芯片量產技術

發(fā)布日期：2024-07-15     322 次

7 月 11 日消息，西安電子科技大學廣州研究院第三代半導體創(chuàng)新中心研究團隊在藍寶石基增強型 e-GaN 電力電子芯片量產技術研發(fā)方面取得突破性進展。

研究團隊攻克了≥1200V 超薄 GaN（氮化鎵）緩沖層外延、p-GaN 柵 HEMTs 設計與制造、可靠性加固、高硬度材料封測等整套量產技術，成功開發(fā)出閾值電壓超過 2V、耐壓達 3000V 的 6 英寸藍寶石基增強型 e-GaN HEMTs 晶圓。該研究發(fā)表在《IEEE Electron Device Letters》上并入選封面 highlight 論文。

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▲ 6 英寸藍寶石基增強型 e-GaN HEMTs 晶圓

在該項目的研究中，研究團隊還成功研發(fā)了 8 英寸 GaN 電力電子芯片，首次證明了 8 英寸藍寶石基 GaN HEMTs 晶圓量產的可行性，并打破了傳統(tǒng) GaN 技術難以同時兼顧大尺寸、高耐壓、低成本的國際難題，被國際著名半導體行業(yè)雜志《Semiconductor Today》專題報道。

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