5月21日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星計(jì)劃利用其即將推出的第二代3nm工藝技術(shù)來(lái)爭(zhēng)奪英偉達(dá)的芯片代工訂單。

但最新報(bào)告顯示，三星3nm工藝的良率僅為20%，這可能成為其競(jìng)爭(zhēng)中的一個(gè)重大障礙。

與此形成鮮明對(duì)比的是，臺(tái)積電的N3B工藝良率已接近55%，這使得臺(tái)積電在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域保持了其行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。

三星的低良率意味著其生產(chǎn)成本將更高，這可能會(huì)削弱其在價(jià)格和性能方面與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)的能力。

三星電子晶圓代工部門已經(jīng)制定了“Nemo”計(jì)劃，目標(biāo)是在2024年贏得英偉達(dá)的3nm芯片代工訂單。

然而，目前三星代工部門尚未成立專門的組織來(lái)攻關(guān)，且良率問(wèn)題仍是其面臨的主要難題。

業(yè)界分析人士指出，三星電子預(yù)計(jì)將在2024年上半年開(kāi)始量產(chǎn)第二代3nm GAA工藝，這將是三星縮小與臺(tái)積電差距的關(guān)鍵。

為了提高良率，三星晶圓代工部門正在全力以赴，并開(kāi)始不惜一切代價(jià)確保技術(shù)的成功。

韓國(guó)市場(chǎng)分析師認(rèn)為，由于地震和地緣政治等不穩(wěn)定因素，2024年可能是三星縮小與臺(tái)積電差距的最佳時(shí)機(jī)。