6月6日消息，據(jù)外媒報(bào)道稱，ASML將在今年向臺(tái)積電交付旗下最先進(jìn)的光刻機(jī)，單臺(tái)造價(jià)達(dá)3.8億美元。

報(bào)道中提到，ASML首席財(cái)務(wù)官Roger Dassen在最近的一次電話會(huì)議上告訴分析師，公司兩大客戶臺(tái)積電和英特爾將在今年年底前獲得所謂的高數(shù)值孔徑（高NA）極紫外（EUV）光刻系統(tǒng)。

英特爾此前已經(jīng)訂購了最新的高NA EUV設(shè)備，第一臺(tái)設(shè)備已于12月底運(yùn)往俄勒岡州的一家工廠。

目前尚不清楚ASML最大的EUV客戶臺(tái)積電何時(shí)會(huì)收到設(shè)備。

據(jù)悉，這些機(jī)器每臺(tái)造價(jià)3.5億歐元（3.8億美元），重量相當(dāng)于兩架空中客車A320。ASML 是世界上唯一一家生產(chǎn)極紫外光刻技術(shù)的公司。

臺(tái)積電此前宣布，其2nm節(jié)點(diǎn)進(jìn)展順利，并計(jì)劃于2025下半年推出N3X、N2制，并將在2026下半年量產(chǎn)N2P和A16制程。

與3nm制程節(jié)點(diǎn)不同，臺(tái)積電2nm制程將使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管，相比3nm工藝會(huì)有10%到15%的性能提升，還可以將功耗降低25%到30%。

之前，有股東發(fā)言提及近華為發(fā)展晶圓代工相當(dāng)積極，向臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音請(qǐng)教如何評(píng)斷，劉德音表示，臺(tái)積電著重是自己發(fā)展的速度夠不夠快，臺(tái)積電永遠(yuǎn)有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

“至于華為會(huì)不會(huì)超越臺(tái)積電，本來他想請(qǐng)總裁魏哲家回答，后來就直接說，總裁也不用回答了，因?yàn)榈静豢赡?。”劉德音說道。

此言一出，也是引起了行業(yè)專家的吐槽，有人甚至放話，如果沒有先進(jìn)光刻機(jī)，你們恐怕什么也不是。